单粒子辐射加固功率MOSFET器件新结构及模型研究

• 作 者: 唐昭焕
• 出 处: 贵州大学
• 发表日期: 2019年01期
• 关键词: 功率MOSFET 单粒子烧毁 单粒子栅穿 辐射加固 SEB致SEGR效应

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