【摘 要】
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到目前为止,HgCdTe依然是最重要的红外材料,外延生长HgCdTe需要优质的衬底材料,因此,制备大面积、低缺陷密度、组分均匀的衬底成为红外领域的关键所在.和传统的衬底材料相比,
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到目前为止,HgCdTe依然是最重要的红外材料,外延生长HgCdTe需要优质的衬底材料,因此,制备大面积、低缺陷密度、组分均匀的衬底成为红外领域的关键所在.和传统的衬底材料相比,CdMnTe材料的优点在于分凝系数小,利用制备组分均匀的晶体.另外,CdMnTe材料还是一种理想的稀释磁性半导体材料(Diluted Magnetic Semiconductor),由于它具有独特的磁学、光学和电学性质,在高科技术领域具有广阔的应用前景.由于受材料本身性质所限,采用传统的长晶工艺很难成功地制备这种材料.该实验室利用ACRT技术进行混料?取代传统的摇摆混料方法.使混料和长晶一次完成,省去了传统工艺中的中间降温移料过程,从而有效地解决了坩埚破裂的问题,采用此法,成功地制备出了国内首批CdMnTe单晶.分析测试表明,长出的晶体位错密度较小,但是孪晶现象比较严重,说明这类材料的孪晶形成能的确很低,有的地方由于温度梯度过大甚至出现了微裂纹.进一步地分析暴露出了试验中存在的一些问题,如发现这种材料的粘度很大,预先设置的ACRT混料参数便显得相对弱了一些;为了避免固态相变,最初的降温了一些,这在今后的工作中需要进一步改进.
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