【摘 要】
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利用磁控溅射工艺制备纳米Al/MoO,薄膜,借助FESEM、AFM、XRD、XPS和DSC分析薄膜性质。结果表明：所制备的纳米Al/MoOx薄膜表面平整,层状结构清晰,层与层之间连接紧密,成膜质量
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利用磁控溅射工艺制备纳米Al/MoO,薄膜,借助FESEM、AFM、XRD、XPS和DSC分析薄膜性质。结果表明：所制备的纳米Al/MoOx薄膜表面平整,层状结构清晰,层与层之间连接紧密,成膜质量好；纳米Al/MoOx薄膜中的Al以正方晶系存在,MoOx以非晶或弱的多晶状态存在,其组分包括：MoO3、Mo2O5和MoO2;纳米Al/MoOx薄膜的DSC曲线有两个放热峰,总反应放热量为3524J/g(达到理论放热量的75%),高出微米级厚度的Al/MoOx薄膜放热量40.5%。采用磁控溅射和反转剥离工艺将纳米Al/MoOx薄膜集成于SCB,制备出含能半导体桥SCB-Al/MoOx。在SCB-Al/MoOx脚线间并联NTC热敏电阻,可提高其抗射频能力。选用47μF固体钽电容作为发火激励源,测试SCB-Al/MoOx与普通SCB之间的电爆性能差异。结果表明：SCB-Al/MoOx的电阻、临界发火时间及临界发火能量与普通SCB相比,无明显差异；电容作用总时间、作用总能量由于受到薄膜反应放出的热量影响,与普通SCB相比,明显减小；相同激励条件下,SCB-Al/MoOx的电容输入能量利用率低于普通SCB,但由于薄膜发火释放出大量热,其输出能量效率高于普通SCB; SCB-Al/MoOx发火时生成的等离子体温度、发火持续时间、火焰高度和火焰面积均大于普通SCB；当自支撑Al/Ni薄膜与桥区存在一定间隙时,相同激励条件下,普通SCB不能点燃封装于其上的Al/Ni薄膜,而SCB-Al/MoOx可以可靠的点燃Al/Ni薄膜。综合分析得出,SCB-Al/MoOx较普通SCB在点火能力及点火可靠性方面均有显著提高。
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