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CsI晶体及掺杂CsI晶体为重要的无机闪烁体，与目前广泛使用的半导体光电二极管光学匹配很好，在射线探测中有很广阔的应用。
本文对CsI和CsI：T1以及通过离子注入方法掺杂Pb2+得到的CsI（Pb）和CsI：T1（Pb）进行了光谱测量，研究了晶体的光谱特性。并对注入Pb2+前后的晶体进行了XRD检测，探索了离子注入这种掺杂方法。
室温下，CsI：T1晶体的吸收谱在230-320nm范围内有3个特征峰：310nm（4eV）、270nm（4．6eV）和245nm（5．1eV）。吸收主要在紫外区，在可见光区透过率较高。根据文献，310nm（4eV）的吸收带对应于杂质T1+的吸收；270nm（4．6eV）归属于I-5p->T1+6p的跃迁，为两个离子间电荷转移吸收峰；245nm（5．1eV）对应于T1+扰动的自陷激子的吸收。室温下，采用3种不同激发能量（310，270和250nm）激发的PL谱相同，均含有550nm和400nm的发光峰。经分峰计算，PL含有4种熟知的3．09eV、2．55eV和2．25eV、2．1eV发光组分。其中3．09eV来自于T1+的原子内（intra-atom）能级的跃迁发光，2．55eV和2．25eV来源于两种不同结构的T1+扰动off-center STE发光（简写为T1+-STE），而2．1eV发光组分来源于T12++-STE的发射。在230-320nm之间的吸收谱与主发光峰2．25eV、3．09eV的激发谱基本一致。
为了探索离子注入杂质激活闪烁体的情况，对离子注入Pb2+的闪烁体进行了光谱测量。发现注入Pb2+后晶体CsI和CsI：T1的发光强度明显增大，400nm发光带比注入前谱峰突出，并且PL谱形状不受退火温度的影响。所以说光强度的增大以及400nm发光带变化和注入的Pb2+有直接关系。但是注入的Pb2+对CsI：T1的影响相对于CsI较小。对晶体进行的XRD检测结果表明CsI晶体在生长引入杂质或离子注入引入杂质后，晶体的的结构发生了变化。晶体中出现了非晶层。离子注入量越大，非晶化越严重。