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MgB<.2>超导体由于具有较高的T<,C>(39 K)，在小型制冷机的工作下可以实现超导应用，并且可以通过掺杂来实现其在高场领域的应用，因此自从MgB<,2>超导电性发现至今，一直是超导领域的焦点。
本论文介绍了MgB<,2>的基本结构、性质，特别是我们利用HPCVD法在不同衬底(不锈钢、铜、SiC)上生长MgB<,2>厚膜的条件和性质：
1．通过改进实验装置---采用石墨支撑样品台，样品台的温度变得容易控制，在不锈钢衬底上我们得到了一系列高质量MgB2厚膜，其中一次膜～8μm，二次膜～16μm，三次膜～25μm。T<,c>在39K左右，上临界场H<,C2>(0)=15.2T；零场下，T=15 K时，临界电流密度J<,c>=3.74 MA/cm<2>。并且通过改变温度和衬底的粗糙度，发现不锈钢衬底上生长．MgB<,2>膜的温度窗口为655～710℃，膜与衬底件有一界面层，并且衬底越平整，膜的晶粒越小，越致密。
2．通过仔细观察Mg和Cu之间的反应过程，我们找到了在Cu衬底上沉积MgB<,2>超导膜的温度窗口(590～630℃)，成功地生长出MgB<,2>超导膜，厚约2.5μm，其TC在38K左右，转变宽度0.8K，上临界场H<,c2>(0)=15.3 T。此外，通过对Cu衬底上样品进行弯折实验，发现当衬底弯成120~，曲率半径～0.86mm，膜面最大裂纹～4μm时，膜仍与衬底紧紧结合在一起，没有丝毫脱落，显示了较好的机械性能。并且，在Cu衬底上我们还生长出了长约4μm的MgB<,2>晶须，其性质有待进一步研究。
3．SiC与MgB<,2>晶格常数相近，且经过抛光衬底表面比较平滑，有利于MgB<,2>膜的外延生长。我们发现SiC衬底上即使生长的MgB<,2>膜较厚(～2.5μm)，也是高度c轴取向的，且T<,c>较高，40.5 K；零场下，T=10K时，临界电流密度J<,c>=6 MA/cm<2>；由于样品中MgO和Mg的存在使晶粒问的连接性和钉扎效应同时达到了优化，从而提高了样品的上临界场H<,c2>(0)=40.8T。
此外，本文总结了不同衬底上生长MgB<,2>超导膜的特点及今后的工作方向。