【摘 要】
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本文采用HWE(Hot Wall Epitaxy)方法,在Si衬底上生长了PbTe薄膜,通过改变衬底温度和进行掺杂在Si衬底上制备出了结构不同的PbTe薄膜。使用多种方法研究了薄膜的微观结构,讨论了掺杂对薄膜生长的影响,n-PbTe/p-Si异质结的I-V性质表明,具有很好的整流特性。同时首次在金刚石衬底上生长出了PbTe薄膜,分析了PbTe薄膜的结构及生长机制,制备了n-PbTe/p-diamo
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本文采用HWE(Hot Wall Epitaxy)方法,在Si衬底上生长了PbTe薄膜,通过改变衬底温度和进行掺杂在Si衬底上制备出了结构不同的PbTe薄膜。使用多种方法研究了薄膜的微观结构,讨论了掺杂对薄膜生长的影响,n-PbTe/p-Si异质结的I-V性质表明,具有很好的整流特性。同时首次在金刚石衬底上生长出了PbTe薄膜,分析了PbTe薄膜的结构及生长机制,制备了n-PbTe/p-diamond异质结,测量其整流特性,并给出了异质结的能带结构图。
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随着遥感技术的发展,遥感图像的分辨率不断提高。目前在基础地理数据更新、土地利用变化、国土资源调查检测等方面高分辨率遥感图像有着的广泛的应用。由于高光谱遥感覆盖的波长范围比一般的光谱宽,光谱波段众多、分辨率高,从而能够得到地物比较精细的光谱特征曲线,并可以根据需要提取某特定的波段来突出目标的特征,因此研究高分辨率遥感图像的匹配技术有着重要的科学意义和实用价值。经过了几十年的发展,高光谱遥感图像数据的
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