【摘 要】
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该文全面综述了光盘存储技术和光存储材料的研究现状和发展趋势,并对可擦重写相变光盘材料的工作原理、制备和性能研究作了重点的介绍.以发展对短波长敏感、相变速度快的新型
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该文全面综述了光盘存储技术和光存储材料的研究现状和发展趋势,并对可擦重写相变光盘材料的工作原理、制备和性能研究作了重点的介绍.以发展对短波长敏感、相变速度快的新型光存储材料为目标,选取Ge<,2>Sb<,2>Te<,5>相变材料(以下简称Ge-Sb-Te)为基础,分别掺杂O<,2>、Sn和Ag制备成薄膜,用示差扫描量热(DSC)、X射线衍射(XRD)、椭圆偏振仪以及紫外可见光谱仪等研究了掺杂后相变薄膜在热处理作用下的结晶行为和结构变化、光学和光谱性质变化,并通过静态或动态测试研究了它们的光存储性能.采用反应气氛溅射法制备了不同氧含量(0、4.1、8.7、14.3和19.4at％)的Ge-Sb-Te薄膜.在Ge-Sb-Te靶上均匀排布Sn薄片,用直流磁控溅射法制备不同Sn掺杂量(0、2.1、3.8和5.8at％)的Ge-Sb-Te薄膜.采用与Sn相同的方法向Ge-Sb-Te薄膜中掺入不同浓度的Ag(0、3.6、7.5和10.1at％).Ag的掺入也提高了薄膜在405nm~300nm的反射率.
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