【摘 要】
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该文主要对闪锌矿结构GaN基量子阱激光器的增益饱和特性进行了研究.首先,从波动方程出发推导了量子阱激光器与偏振方向相关的速率方程,获得了其增益与增益饱和系数同材料线性
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该文主要对闪锌矿结构GaN基量子阱激光器的增益饱和特性进行了研究.首先,从波动方程出发推导了量子阱激光器与偏振方向相关的速率方程,获得了其增益与增益饱和系数同材料线性极化率及非线性极化率之间的关系.然后,利用密度矩阵方法求得了极化率的计算公式,并由有效质量理论得到了GaN基量子阶能带结构和偶极跃迁矩阵元的计算方法.最后,使用平面波展开方法对量子阱的能带结构和偶极跃迁矩阵元进行了计算,利用这些结果在不同的载流子面密度下计算了InGaN量子阶激光器的增益和增益饱和系数,给出了它们与光子能量之间的关系图,并详细分析了TE、TM模增益和增益饱和系数的特征以及能带结构和载流子面密度对它们的影响.
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