【摘 要】
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该文用分子动力学方法对Al晶体中的刃位错芯区的原子结构、刃位错在外加切应力作用下的滑移运动和位错芯区空位机制的扩散行为进行了研究.用Hyper-MD方法模拟了空位的扩散,包
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该文用分子动力学方法对Al晶体中的刃位错芯区的原子结构、刃位错在外加切应力作用下的滑移运动和位错芯区空位机制的扩散行为进行了研究.用Hyper-MD方法模拟了空位的扩散,包括体扩散和位错芯区的扩散,得出体扩散的空位迁移能为0.55eV,垂直于位错线方向的芯区扩散的空位迁移能为0.53eV,沿位错线方向的芯区扩散的空位迁移能为0.45eV,与实验符合得很好.证实了位错芯区附近的扩散比完整晶体中的体扩散容易发生,并且沿位错线方向的芯区扩散系数大于垂直于位错线方向的芯区扩散系数.这结结果有助于解释室温非线内耗峰的特性.
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