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透明导电氧化物(Transparent Conducting Oxides，TCOs)在透明半导体器件领域有非常广泛的应用前景，而p-TCOs作为p-n结型透明半导体器件的基本组成部分，材料极其匮乏，成为制约透明半导体器件发展的瓶颈。自从1997年Kawazoe报道了CuAlO2的透明p型导电性以来，Cu基和Ag基铜铁矿材料倍受关注。此外，研究发现CuAlO2具有室温臭氧传感特性和高热电性能，并有理论计算表明磁性离子掺杂的CuAlO2可能成为稀磁半导体，因此，高纯CuAlO2的制备和电输运性质的研究具有重要意义。
本论文主要开展了以下工作：
(1)采用溶胶-凝胶法成功制备了CuAlO2多晶块材，在制备过程中，使用机械球磨，细化了粉末的颗粒尺寸，增加了反应活性，促进了纯CuAlO2的生成。名义组分CuAlO2样品原子百分比Cu∶Al=0.96，部分偏离了化学计量。样品在制各过程中倾向于自发形成本征受主缺陷，呈p型导电性。
(2)对Cu1+xAlO2+y体系的制备和研究表明，铜铁矿结构CuAlO2允许金属阳离子偏离化学计量的范围很小。随着x的增大，材料的受主缺陷机制发生变化，材料的电导率和激活能也随之变化。
(3)采用脉冲激光溅射法(Pulsed Laser Deposition，PLD)制备CuAlO2薄膜时发现，基片温度低于600℃时，薄膜为非晶态。我们研究了异位退火对非晶态薄膜晶化的影响，发现薄膜晶化的异位退火温度为1100℃。