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本研究首先以表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为软模板，以水合肼作为还原剂，用化学还原法还原钴盐，成功制备出金属钴纳米棒。获得的钴纳米棒直径约为70～100nm，长度约为3～4μm，由hcp晶相和fcc晶相组成，其含量比例约为1:1。接着研究了在有机相乙醇体系中，以表面活性剂PVP作为软模板，采用联氨还原氯化钴的化学方法制备得到金属钴纳米棒，获得尺寸更小的的钴纳米棒，直径约为50-80nm，长度约为300-500nm，具有hcp相。并用XRD、TEM、XPS和TG-DTA对上述实验制备的样品的组成和形貌进行了表征和分析。并对钴纳米棒的生成机理进行了初步探讨，认为表面活性剂PVP在金属钴纳米棒的形成过程中起到类似软模板的作用，使钴纳米粒子沿着表面活性剂PVP长链的方向生长成纳米棒。
最后本研究采用二次置换法成功制备出磁性钴纳米孔阵列。首先研究了二次阳极氧化法的工艺参数对氧化铝模板孔径的影响，获得孔洞分布均匀、孔道彼此平行的氧化铝模板。接着以AAO模板为基模板，采用甲基丙烯酸甲酯(MMA)的本体聚合，成功获得了均匀分布的聚合物聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)纳米柱阵列，其尺寸为300-400nm左右；再以PMMA纳米柱阵列为负模板，在电流密度为0.2mA/cm2下电沉积钴，成功制备出孔道阵列基本有序的钴纳米孔阵列，孔洞大小为700-900纳米左右。