【摘 要】
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随着功率器件的不断发展及其应用领域的不断扩大，BCD工艺所受的关注度也日益增加。相对于低压CMOS器件来说，高压器件的设计与优化更具挑战性。高压器件的击穿电压和特征导通电
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随着功率器件的不断发展及其应用领域的不断扩大，BCD工艺所受的关注度也日益增加。相对于低压CMOS器件来说，高压器件的设计与优化更具挑战性。高压器件的击穿电压和特征导通电阻是器件设计者们需要考虑的两个重要性能，但是这二者之间存在折中矛盾，为了提高器件的性能，必须寻找新的器件结构以及优化技术来减小这种矛盾。
本文基于0.35μm BCD工艺，运用美国SILVACO公司的工艺与器件模拟软件对器件进行模拟仿真，并结合流片测试结果，对该工艺中的高压LDNMOS和HVPMOS器件进行设计与优化，最终确定器件结构和工艺基准。
在设计与优化期间，我们主要运用降低表面电场以及场极板等当今成熟的功率器件优化技术，来使高压器件达到我们的性能要求。在整个优化过程中，器件的性能主要是通过器件尺寸和结构的微小调动来实现的，并没有增加任何掩模板以及工艺的复杂度，降低了生产成本。
最终流片测试结果表明，高压LDNMOS与HVPMOS的各项指标均满足目标值，很好的达到了设计与优化的目的。
为了提高工艺的应用范围，我们将High-Side LDNMOS集成在该工艺中，目前正在进一步优化中，本文也提出了有效地解决方案。
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