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实验目的：研究50Hz、0.4mT工频磁场对人羊膜细胞(FL细胞)线粒体膜、线粒体膜间隙蛋白以及细胞凋亡的影响。实验方法： FL细胞接种于12孔板培养24小时后,分别暴露于50Hz、0.4mT工频磁场不同时间(5min,15min,30min,60min,120min).用钙黄绿素-钴离子作为荧光探针标记细胞,采用流式细胞仪进行检测并分析线粒体膜通透性MPTP (mitochondrial permeability transition pore)的改变；随后用活性氧ROS (reactive oxygen species)清除剂N-乙酰半胱氨酸(N-acetylcysteine, NAC)预处理细胞,检测分析ROS与MPTP之间的关系。利用JC-1荧光探针标记细胞,流式细胞仪检测分析不同时间磁场暴露后FL细胞线粒体膜电位MMP (mitochondrial membrane potential)的改变；采用western blot技术分析工频磁场暴露60min后,胞浆中细胞色素C的水平；同时利用流式细胞术分析工频磁场暴露60min并分别经Oh,3h,6h,12h,24h,36h培养后细胞凋亡的发生率。实验结果：研究结果表明,FL细胞暴露于工频磁场30min和60min后线粒体膜通透性增高,尤其是60min组差异具有统计学意义(P<0.05). NAC预处理细胞能够抑制工频磁场诱导的线粒体通透性增高(P<0.05)。然而,工频磁场暴露不影响FL细胞线粒体膜电位的改变。工频磁场暴露60min后,胞浆中细胞色素C含量增高,与假辐照组相比,其差异具有统计学意义(P<0.05)；可是,FL细胞暴露于工频磁场60min并经过不同时间(Oh,3h,6h,12h,24h,36h)培养后,细胞凋亡发生率没有明显改变(P>0.05)。结论：1.50Hz,0.4mT工频磁场暴露可诱导FL细胞线粒体通透性增升高,而且线粒体通透性改变与ROS相关。2.工频磁场暴露对FL细胞线粒体膜电位无明显影响。3.工频磁场暴露能够诱导细胞色素C释放到细胞质,然而,工频磁场暴露并不能诱导FL细胞发生凋亡。