【摘 要】
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在光伏领域,减反膜制备是制备多晶硅太阳电池过程中重要的环节之一。氮化硅薄膜作为太阳电池减反膜主要是通过PECVD(等离子增强化学气相沉积)技术制备。PECVD过程对基片温度
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在光伏领域,减反膜制备是制备多晶硅太阳电池过程中重要的环节之一。氮化硅薄膜作为太阳电池减反膜主要是通过PECVD(等离子增强化学气相沉积)技术制备。PECVD过程对基片温度要求很严格,均匀的反应温度是保证减反膜膜层均匀的必要条件。本文讨论了PECVD方法制备氮化硅技术原理、工艺过程、工艺参数,提出了高质量氮化硅薄膜制备过程中最佳的工艺参数。本课题的实验方法是采用典型点测温,即利用热电偶对七类加热器及其对应的基片托架表面的七组典型点进行测温,基片托架表面的七组典型点温度达到稳定时记录加热器和基片托架表面典型点温度数据。利用实验中加热器的设定温度,结合传热学理论和ANSYS有限元软件对外加热方式、内加热方式大面积平板式PECVD设备反应室进行温度场模拟。模拟结果与实验记录基片托架表面温度接近,验证了模型的正确性,可以指导实验加热器温度设定。提出内加热方式可以达到更高的基片托架温度。此外本文做了模拟值和实验值的误差分析,指出有限元模拟前的理想假设,模拟时加热器的实际模型,及测量误差均造成了模拟值与实验值偏离最后本文利用ANSYS软件二次开发模块基于基片托架表面温度均匀性,针对PECVD设备加热器的功率进行了优化设计。此方法方便快捷,可以代替烦琐的人工试凑办法。
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