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掺锑氧化锡（Antimony-doped tin oxide，ATO）材料在IT领域显示器、电器机壳、气敏传感器、太阳能光电转换等众多领域有着广阔的应用。目前国内外通常采用溅射法制备，对于溅射法来说，需要昂贵的溅射设备和高质量的靶材，为此本文采用新的制备路线：即ATO纳米粉末→ATO浆料→ATO纳米涂膜的新方法。首先使粉末颗粒纳米化，为涂膜后降低膜的热处理温度和浆料制备创造条件，然后将浆料在基底旋转涂膜。主要研究内容和结果如下： 1．详细考察了醇盐水解法制备ATO纳米粉末过程中工艺参数如：回流时间、水解温度、水解pH值、热处理温度和分散剂对粉末微观结构的影响。为了改善ATO纳米粉末的单分散性能，同时考察了外加超声波水解、水解产物共沸蒸馏和纳米粉末醇热处理对粉末单分散性的影响，找出了最佳工艺条件。对Sb掺杂SnO2半导化的最佳掺杂量进行理论计算和实验确定，研究了Sb在SnO2晶格中的价态随掺杂浓度变化的演变规律，揭示了材料半导化机理与宏观导电性能之间的关系。研究了Sb与第二元素对SnO2共掺杂对涂膜电学和光学性能的影响，运用强化分散的方法制备了ATO浆料，优化了浆料制备的工艺参数。 2．深入研究了ATO粉末纳米化并优化了工艺参数。采用醇盐水解法制备ATO纳米粉末，为了减轻纳米粉末中的团聚程度，研究了新颖的醇热处理方法改善ATO纳米粉末单分散性能，获得了满意效果。经优化的工艺参数为：回流时间16h、回流温度78～80℃、水解温度60℃、水解pH值为3、热处理温度600℃、保温2h，250℃醇热处理。在最佳工艺条件下，纳米ATO粉末的平均粒径10nm，颗粒形状为椭球形。氮气吸附法测量粉末比表面积为59m2／g、其最小团聚系数可达1.6。从表征结果来看，纳米粉末的粒径和单分散性比其它化学法制备的粉末优异，是目前湿化学法获得的最小粒径的ATO纳米粉末。 3．系统考察了Sb掺杂对ATO纳米粉末微观结构、电学性能和涂膜透射率的影响。实验表明：在掺杂浓度0.5～5.5at％的范围内，XRD分析未发现纳米粉末中有单独的Sb或Sb的氧化物，Sb以替代固溶形式进入SnO2晶格中，醇盐水解法实现了Sn-Sb间原子级复合；Sb掺杂对纳米粉末微观结构有影响，随着Sb浓度的增加，ATO纳米粉末的平均晶粒尺寸有下降趋势；在最佳掺杂浓度点，纳米粉末电阻率0.26Ωcm：涂膜在可见光波长范围内的透射率随着Sb浓度的增加有降低趋势，未掺杂涂膜的透射率可达83％，掺杂4.5at％Sb的为75％。