【摘 要】
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(1-x)Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-xPbTiO_3（PMN-PT，PMNT）弛豫铁电单晶，具有优异的介电、铁电、压电、热释电、电热、电光及非线性光学性能，可以应用于微波可调器件、非随机存储器、换能器、传感器、光波导等领域。为实现器件和系统的微型化，制备优异性能的PMN-PT薄膜则具有重要的意义。然而在硅基片上制备高质量的PMN-PT铁电薄膜还有许多问题亟待解决，如：铁电薄膜
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(1-x)Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-xPbTiO_3（PMN-PT，PMNT）弛豫铁电单晶，具有优异的介电、铁电、压电、热释电、电热、电光及非线性光学性能，可以应用于微波可调器件、非随机存储器、换能器、传感器、光波导等领域。为实现器件和系统的微型化，制备优异性能的PMN-PT薄膜则具有重要的意义。然而在硅基片上制备高质量的PMN-PT铁电薄膜还有许多问题亟待解决，如：铁电薄膜的低温制备温度、质量控制、结晶形态与取向控制、微结构与电学性能之间的关系等。针对以上问题，本论文主要开展
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