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本论文对CeAlO3晶体与CaTb1-xCexAlO4系列晶体的原料合成、晶体生长、磁性与磁光性能等方面进行了较为系统的研究。采用高温固相法合成CeAlO3多晶原料,利用XRD、IR、DRS等测试手段对合成的多晶原料进行表征,探索出纯度高、晶相较好、基本符合晶体生长要求的CeAlO3多晶原料的可控合成工艺。采用提拉法生长CeAlO3晶体,通过调节温场、转速、拉速、退火时间等参数来优化晶体的生长工艺,获得了光学质量较高的CeAlO3单晶,同时结合MS软件模拟了 CeAlO3晶体的生长习性,利用XRD、Rietveld精修软件确定CeAlO3晶体属于四方相。对CeAlO3晶体荧光光谱分析表明,其在372 nm附近有较强的特征发射峰,这归属于晶体Ce3+离子的5d→4f跃迁。在弱还原气氛中对CeAlO3晶体进行二次退火,发现CeAlO3晶体在400-1600 nm波段的透过率可达70%以上,结合XPS测试分析其退火前后Ce离子价态的变化对晶体透过率的影响。测试了 CeAlO3晶体在a和c方向的变温磁化率,结果表明晶体存在磁各向异性,同时在奈尔温度点2K附近有反铁磁相变。采用消光法测试了 CeAlO3晶体在532、635和1064 nm波长处的法拉第旋转角,计算其三个波长处的费尔德常数约是TGG晶体的2.0～2.1倍。最后结合MCD谱讨论了 Ce3+离子在紫外光区的跃迁对晶体磁光性能的影响。高温固相法合成CaTbAlO4与CaCeAlO4多晶原料,采用提拉法生长了高质量的CaTb1-xCexAlO4系列晶体。通过XRD、Rietveld精修软件拟合计算CaCeAlO4和CaTb1-xCexAlO4系列晶体的晶胞参数。采用EDS和lCP-AES确定CaTb1-xCexAlO4系列晶体的化学式;测试了 CaTb1-xCexAlO4系列晶体的常温磁性,并对其磁性能进行研究。测试了 CaTb1-xCexAlO4系列晶体在200-1600 nm的透过光谱,结果表明除在488 nm附近有Tb3+离子7F6→5D4的跃迁吸收峰外,其透过率都在70%以上。消光法测试了 CaTb1-xCexAlO4系列晶体在532、635和1064 nm波长处的法拉第旋转角,计算得到CaTb0.955Ce0.045AlO4和CaTb0.869Ce0.131AlO4晶体的费尔德常数分别是CaTbAlO4晶体的1.05和1.14倍。最后结合DRS与MCD测试,初步分析了 Ce离子掺杂增加晶体费尔德常数的机理。综上表明,CeAlO3晶体与CaTb1-xCexAlO4系列晶体基于其透过率较高、磁光性能良好而有望成为可见及近红外光区有应用价值的磁光晶体材料。