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近年来，一维异质结纳米材料由于其新颖的物理、化学性质以及在许多领域潜在应用前景，已成为当今纳米材料科学的发展前沿和研究热点。本论文研究半导体一维异质结纳米材料合成及其性质。通过直接使用粉体材料作为反应源，采用化学气相沉积(CVD)方法，成功合成了ZnSe/Ge并轴异质结纳米线，Cd4SiS6/SiO2核-壳结构等级纳米线阵列，SiO2网状纳米带，并且对它们进行了表征和性质研究。内容具体如下：
1.利用ZnSe和Ge粉末为原材料，通过简单的CVD方法成功合成了ZnSe/Ge并轴异质结纳米线。扫描电子显微镜(SEM)检测结果表明，该异质结纳米线直径均匀，约为200nm，长度可达几百μm；透射电子显微镜(TEM)结果表明，该晶体无明显缺陷，其中ZnSe和Ge纳米线均为单晶立方相结构，直径分别为120和80nm：高分辨透射电镜(HRTEM)和选区电子衍射(SAED)结果显示在该异质结中，存在高质量的异质界面。讨论了该纳米线异质结遵循共生生长机制；该异质结纳米线的振动特性由室温下得到的拉曼谱(RS)来研究。
2.以CdS粉末作为原材料，通过CVD的方法，在硅片上制备出大面积Cd4SiS6/SiO2等级异质结纳米线阵列。根据SEM检测结果，该纳米线排列整齐，垂直于硅片衬底生长，TEM和SAED结果表明该纳米线阵列为核壳结构，并且具有较好的结晶性质；基于以上实验结果，讨论了该等级纳米线阵列生长遵循二次生长机制；在室温下测量了该异质结纳米线阵列的拉曼谱(RS)，结果表明，Cd4SiS6的拉曼振动可以为归属为Cd-S和Si-S两种结构的振动模式；该异质结纳米线阵列的光学性质根据室温下得到的光致发光(PL)谱研究，可以得到Cd4SiS6晶体的本证发光位置在483nm处。
3.以CdS粉末作为辅助材料，通过CVD的方法，在硅片上制备出SiO2网状纳米带，SEM检测结果表明，该纳米带具有均匀的宽度，单根纳米带宽度约为2μm，长度可达几百μm，并且单根纳米带具有类似于DNA模型的双螺旋形貌。依据实验过程的控制，可以得到反应时间，反应温度对合成样品的形貌有着重要的影响，通过改变实验条件，得到了在不同条件下的产物规律，并依据此结果讨论了该新颖形貌SiO2网状纳米带在CdS辅助所用下的可能生长机制。