【摘 要】
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该论文包括两方面的内容,第一部分讨论巨磁电阻锰氧化物材料中的应力的作用,特别是对于磁相变和电、热输运的影响;第二部分是利用混合物理化学气相沉积法(HPCVD)制作MgB超导
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该论文包括两方面的内容,第一部分讨论巨磁电阻锰氧化物材料中的应力的作用,特别是对于磁相变和电、热输运的影响;第二部分是利用混合物理化学气相沉积法(HPCVD)制作MgB<,2>超导薄膜,并对其超导性能的表征及测量做一系列研究.巨磁电阻锰氧化物材料的相图非常丰富,有着复杂的物理性质,而应力在其中有重要作用.人们对于薄膜中的应力效应做过很多的研究,但往往碰到同时存在尺寸效应的困难.对块材中的应力的研究则相对较少.该工作选择(1-x)La<,2/3>Ca<,1/3>MnO<,3>/(x)YSZ块材系列样品,通过改变YSZ(钇稳定氧化锆)的掺入量控制边界层应力,并排除了尺寸效应的影响.(1-x)La<,2/3>Ca<,1/3>MnO<,3>/(x)YSZ样品的X射线衍射和SEM的结果都表明,样品中的LCMO相基本没有发生变化,关于自旋玻璃行为和晶粒边界效应对磁化率虚部低温峰影响的讨论也证实了这一点.但是磁测量的结果却表明磁转变温度T<,C>随掺杂量x发生了很大的变化.论文讨论了晶粒边界的效应,磁耦合效应,尺寸效应,以及应力效应的影响,发现应力是T<,C>随x变化的主要原因.同时,实验工作也有助于对低温输运过程中起作用的散射机制的判断.MgB<,2>超导体如果可以通过薄膜制备的方法制成带材和线材,应用前景会非常广阔.论文在制备MgB<,2>超导薄膜方面进行了初步的探索.用混合物理化学气相沉积法(HPCVD)在Al<,2>O<,3>衬底上和不锈钢衬底上都长出了(101)取向的比较厚的膜,并对其进行了电镜观测和超导性质的测量.其中在Al<,2>O<,3>衬底上生长的厚膜是由无数微晶堆积而成的,性质接近单晶,超导转变温度为39.2 K,上临界场达到19T.
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