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到目前为止,在大面积平板显示,p-n结型二极管以及有机/无机电池领域,非晶硅材料获得了广泛应用。然而,纵观全球电子和光电子产业的发展,传统的硅基半导体及其器件已经不能满足需求,如在透明性等方面。目前,在实现下一代柔性和全透明器件或电路时遇到了材料方面的严峻挑战,人们可以通过应用能够低温制备的全透明氧化物半导体来解决。在早期的研究中,氧化锌(ZnO)和氧化亚锡(SnO)分别作为n和p型半导体材料被广泛报道。ZnO是一种宽禁带半导体材料,凭借高载流子迁移率和透光率而备受关注。同样地,SnO凭借可能实现的