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高温超导涂层导体以其高的不可逆场和优异的导电性能而成为目前研发的重点。目前轧制辅助双轴工艺（RABITs）是制备其的首选技术，已有的研究表明Ni-5at.％W是制备基带的理想材料，因此本文采用粉末冶金制备的Ni-5at.%W基带冷轧98%形变量后，对其回复和再结晶的行为进行研究。本文分析了基带在低温和高温下分别退火时再结晶织构的演变，不同预回复处理工艺对基带在低温下退火时的再结晶织构的影响，和基带经250℃预回复处理后在低温下退火时再结晶织构的演变。 对冷轧变形量为98%基带的研究表明：冷轧状态下基带的显微组织主要为与RD方向平行的片层状组织(LB)，此时获得的织构为Cooper-type织构，Cube织构的含量仅为1%。 对低温和高温下基带的等温退火的研究表明： ①Cube取向的晶粒在低温退火和高温退火时都具有尺寸优势。 ②高温处理后获得的Cube织构含量更高，Cube取向的择优在低温下主要依靠形核，而在高温下主要是长大。 基带在低温下退火时再结晶过程中形成的Cube取向的晶粒/晶核一直多于其它取向，并且在晶粒长大时这种优势依然存在，但长时间的等温退火后Cube织构的含量已基本稳定在60%不再发生变化。高温退火时再结晶过程中Cube织构的含量并不占优势，而是在晶粒长大过程中Cube织构的含量不断增加最终能达到98%以上。 不同预回复处理工艺对基带在低温下退火时的再结晶织构的影响，和基带经250℃预回复处理后在低温退火时再结晶织构的演变的结果表明： ①附加的预回复处理对Cube织构和LAGBs的含量能产生重大影响。当150℃-300℃预回复处理时Cube织构的含量能增加5%-10%，但是更高的预回复处理温度反而使得它的这种优势降低，这主要与预回复使得储存能的减少有关。LAGBs的含量在150℃-300℃也有所增加，在250℃进行预回复处理的含量是直接进行再结晶退火的含量的1.6倍。 ②预回复处理工艺能够促进孪晶的产生。 ③经250℃预回复处理后试样在低温退火过程中再结晶晶核数量有所增加，但Cube取向的晶粒/晶核占总晶核的百分比有所下降，晶核/晶粒的长大速率降低，同时Cube取向的长大优势也被削弱。再结晶过程被延长同时Cube织构的含量在再结晶完成时也降低。但是由于取向钉扎作用的减弱使得Cube取向在晶粒长大过程中进一步增长。经预回复处理的试样在700℃退火1h时Cube织构的含量以达60%。