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无机电子器件问世以后,基于有机半导体的电子器件的应用前景随着时间的推移而越发广阔,比如有机发光二极管、有机薄膜晶体管等纳米器件。其中有机场效应晶体管,简称OFET(organic thin-film transistor),在经历了多年的调查研究后,成为研究的热点。在本文中,使用(E)-2-(2’)-二(苯并呋喃)-4,4’-二(异丙基)-2,3-噻吩并比诺酮-6,6-二乙烯(BFTTME)、(E)-2-(2’)-二(苯并呋喃)-4,4’-二(异十一烷基)-2,3-噻吩并比诺酮-6,6-二乙烯(BFTTMD)和聚3-己基噻吩(P3HT)作为有源层材料,使用旋涂法和气相沉积在硅衬底上制备有机场效应晶体管,并且使用不同浓度的活性层掺杂材料制备OTFT,讨论其电性能,表面形貌,晶相变化和机理。此外,以照相纸为基底采用喷墨印刷方法制备了具有边栅结构的有机场效应晶体管,并制备了银电极,有机活性层和电介质层。通过本文实验,得到以下实验结果:(1)使用有机半导体材料BFTTME和BFTTMD作为活性层制备有机场效应晶体管,所制的器件载流子迁移率可以达到10-3数量级(单位为cm2 V-1 s-1),开关比可以达到104数量级。(2)基于有机半导体材料BFTTME,掺杂P3HT,比例分别为10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%,测试器件电学性能得知,掺杂比例为20%时,对应的有机场效应晶体管性能最优,载流子迁移率为1.2×10-2 cm2 V-1 s-1。(3)使用喷墨打印机分别在相片纸上打印银电极、活性层和介电层来制备边栅结构的有机场效应晶体管,初步研究了银电极的打印制备,活性层和介电层墨水的制备和打印,制备出具有场效应特征曲线的器件,载流子迁移率可以达到10-3数量级(单位为cm2 V-1 s-1),开关比可以达到102数量级。