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近年来，智能手环、眼镜等各种可穿戴设备迅猛发展，性能更好的电源管理芯片是必需的。尤其是对电源噪声很敏感的射频电路，必须先利用电源管理电路对电源电压进行优化处理，达到所需性能标准，才能保证整个电路正常工作。 低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)具有干扰小，输出噪声低，体积小易于片上集成，低功耗，方便使用等优点，广泛用于可穿戴的电子设备中。所以，深入研究LDO线性稳压器很有实际的意义。本文设计了一种无片外电容的，高电源抑制比的LDO，适合为射频前端芯片供电。 本文首先对电源管理芯片的应用背景和研究动态进行了简要介绍，分析和比较了几种直流-直流转换器，并着重调研了近年来LDO的研究动态。具体分析了LDO的基本原理和设计中需要考虑的关键性能指标，为电路的设计提供了理论依据。然后，细致的分析了LDO的各个关键电路模块，给出了具体的设计方案，并绘制了完整的版图。基于带隙基准产生原理和关键性能的分析，设计了温度系数较低的参考电压源，为后级提供了稳定的参考电压;基于对不同类型功率管的优缺点，不同结构的误差放大器的电源抑制比(Power Supply Rejection，PSR)的分析，设计了合适的功率调整管和误差放大器;根据对电源噪声在不同频段的主要传输路径的分析，设计了PSR增强电路，显著提高了LDO的PSR，并分析了几种已有的提高LDO的PSR的技术;采用密勒补偿技术，增强了整个电路的稳定性。 该LDO稳压器采用UMC65nm RF CMOS工艺，利用Cadence Spectre RF平台对电路进行设计和仿真。结果表明，LDO的输出电压为1.2V，相位裕度可以达到86.8°，增益裕度为33.4dB，在100kHz频率处，PSR为-84.4dB，输出噪声为9.8nV/√Hz，在1MHz频率处，PSR为-50.6dB，输出噪声为8.6nV√Hz，其中，相比无PSR增强电路的LDO，该LDO在100kHz和1MHz频率处的PSR分别提高了40dB和30dB，适合为噪声敏感的射频电路供电。