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该文所研究的是GaAs高速集成电路芯片内部动态行性的无侵扰(同时也是无接触)检测.它的基本原理是利用GaAs集成电路衬底的电光效应来完成芯片内部点电信号的拾取.其主要研究内容包括,电光采样的基本理论,电光采样系统的构建,电光采样信号的检测、转换、传输及处理,时域测量及波形显示和存储.GaAs集成电路芯片的直接故障诊断分析.所涉及的研究领域有微电子学、光电子学和电子学等电子科学与技术中的主要学科.该文的主要研究成果在于建立起国内第一套实用化的背面入射式GaAs高速集成电路芯片电光采样分析仪,首次完成了GaAs高速集成电路芯片直接故障诊断分析,实现了GaAs高速集成电路芯片内部点动态特性的时域测量及高速波形数字化.该文首先阐述了电光测量的基本理论及其应用技术的发展.系统地叙述了电光测量的基础理论,电光采样原理及其应用,GaAs集成电路电光采样测量概况.这些内容是电光测量技术的理论基础.电光采样系统的构建是电光测量技术的重要组成部分,该文对比分析了国外三种主要系统构建方式,在此基础上,提出了自己的倍频同步移相电光采样系统.为了更加灵活方便地开展电光测量研究工作,该文还建立了数字平均电光采样系统、基于低噪声前置放大器的电光采样系统和等效倍频同步移相电光采样系统等其它变形模式,对电光测量研究有着很好的借鉴和参考作用.与此相关的还有虚拟数字存储示波器和虚拟频谱分析仪的开发应用,这些对提高电光测量的数据分析处理能力有非常重要的作用.电光测量今后的发展是进行了以非电光材料为衬底的硅集成电路芯片的在片检测分析,还可以扩展其应用,完成光电集成器件芯片的在片检测分析.该文所取得的研究成果将为开展这些研究打下坚实的基础并将起到积极的促进作用.