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负温度系数(NTC，Negative Temperature Coefficien)热敏电阻具有灵敏度高，响应快且成本低廉，体积小等众多优点，NTC热敏电阻材料在温度传感器，温度补偿器件，金属热电偶，半导体陶瓷等领域都有广泛的应用。目前，最常用的一种NTC热敏电阻器是由Mn、Ni、Co、Cu等过渡金属元素氧化物组成的通式为AB2O4的单一结构的尖晶石相。此类材料的应用温区较窄，且烧结后材料内部缺陷分布的不均匀性使材料的电性能容易发生改变，在中温区使用时稳定性较差。因此，探索新型的使用温区较宽、稳定性较好的热敏电阻材料具有重要意义。复合材料作为一种具有很大发展前景的材料，为材料性能的改变发挥了重要作用。利用复合材料的乘积效应和加和性，可以对材料的微观结构和电性能进行控制，从而获得单相材料无法得到的性能。 本论文将复合与掺杂技术应用到传统的尖晶石结构中，采用氧化物固相法，对(LaMn1-y CoyO3)x-(Ni0.66Mn2.34O4)1-x（0≤x≤0.5，0≤y≤0.5）和(BaSn1-ySbyO3)x-(Ni0.66Mn2.34O4)1-x(0≤x≤0.5，0≤y≤0.5)复合材料体系进行了研究。结合激光粒度分析、TG/DSC、DIL、XRD、SEM、EDS及电阻温度等测试分析手段对制备的热敏电阻材料粉体和陶瓷体样品进行了表征和分析。研究了体系中的掺杂量、复合度及工艺条件等对复合材料微观结构和电性能的影响及变化规律，并探讨了其导电机理。 具体研究内容如下: (1)采用氧化物固相法制备了单相LaMn1-yCoyO3(0≤y≤0.5)和Ni0.66Nn2.34O4氧化物粉体材料。结合XRD确定了LaMn1-yCoyO3(0≤y≤0.5)和Ni0.66Nn2.34O4的最佳煅烧温度分别为1000℃和950℃。烧结后的复合材料主要由立方尖晶石相和正交钙钛矿组成，复合材料中钙钛矿相的复合量、Co的掺杂量都对复合陶瓷材料的微观结构和形貌产生一定程度的影响。 (2)当掺杂量y为0.5时，复合陶瓷材料(LaMn0.5Co0.5O3)x-(Ni0.66Mn2.34O4)1-x(0≤x≤0.5)的电阻率和B值均随着LaMn0.5Coy0.5O3含量的增加而减小，其室温电阻率ρ25和材料常数B的变化范围分别是4767～20Ω·cm和3970～1573K;将复合材料于125℃老化1000h，其电阻漂移率ΔR/R0随钙钛矿相含量x的增加而降低，当x从0增加到0.5，ΔR/R0从1.8％降低到0.28％，稳定性得到提高。当x=0.2时材料复合材料的电阻率随Co掺杂量的增加而减小，ρ25和B值的变化范围是3345～1207Ω·cm,4038～3643K。 (3)采用氧化物固相反应法制备了单相BaSn1-ySbyO3(0≤y≤0.5)和Ni0.66Nn2.34O4氧化物粉体材料。结合TG/DSC确定了BaSn1-ySbyO3(0≤y≤0.5)粉体的最佳煅烧温度为1200℃。烧结后的复合陶瓷材料主要由立方尖晶石和立方钙钛矿相结构组成，复合材料中钙钛矿相的复合量、Sb的掺杂量都对复合陶瓷材料的微观结构和形貌产生一定程度的影响。 (4)研究发现(BaSn1-y SbyO3)x(Ni0.66Mn2.34O4)1-x(0≤x≤0.5，0≤y≤0.5)的电阻率和B值都随着钙钛矿相和Sb含量的增加而增大。当y=0时，随x从0增加到0.4，复合材料的电阻率从4123Ω·cm增加到40620Ω·cm，B值从3962K增加到4281K。当x=0.2时，复合材料的室温电阻率和B值的变化范围分别是11.52～30.52KΩ·cm和4220～4656K。