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超疏水表面在自然界和工农业生产中得到了广泛的应用,润湿性是衡量超疏水表面疏水性强弱的重要指标之一,主要由表面微观结构和表面化学组成共同决定。只改变固体表面化学成分,很难使表面达到超疏水的效果,因此通过表面形貌来控制表面润湿性在超疏水表面的制备过程中起到了关键性作用。本文以单晶硅片为基底,利用感应耦合等离子体刻蚀技术(ICP),在硅片表面加工微米级微柱结构阵列,随后在其表面自组装一层十八烷基三氯硅烷(OTS)分子膜,实现超疏水。并应用能量色散光谱仪(EDS)、电子隧道扫描显微镜(SEM)、三