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高温压电材料在航空航天、石油探测、汽车工业等领域有着广泛的应用。本论文围绕着高温压电晶体YxGd1-XCa4O(BO3)3(缩写为YxGd1-XCOB)晶体的提拉法生长及其性能的研究展开工作。利用提拉法生长YxGd1-XCOB晶体。并对晶体的介电性质、压电性质、热膨胀性能进行了研究，论文中介绍的主要工作和结果如下： (1)利用固相法制备了提拉法生长晶体的原料，根据衍射图谱计算出YCa4O(BO3)3（缩写为YCOB）晶体的晶胞参数为a=8.07，b=16.01?，c=3.524及β=101.16o并与标准YCOB晶胞参数a=8.077，b=16.02?，c=3.534及β=101.19o比较。利用西安百瑞科技发展有限公司生产的PERI-400P型单晶炉，提拉生长了YxGd1-XCOB晶体。采用D8Advance型 x射线粉末衍射仪（Cu靶，λ=0.15406 nm），测试范围为2θ=0-70o，扫描速度为1o/min，测试了XRD粉末衍射,与YCOB晶体标准PDF卡比较，发现峰的位置和强度一致，说明生长的YxGd1-XCOB晶体的晶体结构与YCOB晶体的结构相同。计算得到Y0.145Gd0.855Ca4O(BO3)3（缩写为Y0.145Gd0.855COB）晶体的晶胞参数为a=8.088?，b=16.026?，c=3.548?及β=101.34o，与YCOB晶体的晶胞参数（a=8.077?，b=16.02?，c=3.534?及β=101.19o），GdCa4O(BO3)3（缩写为GdCOB）晶体的晶胞参数（a=8.104?，b=16.03?，c=3.558?及β=101.25o）相比较。分析了晶体中的缺陷类型，利用腐蚀法观察到了位错露头，利用同步辐射白光形貌术观察到了晶界。 (2)利用电桥法对Y0.145Gd0.855COB晶体的样品沿着x轴，y轴，z轴测量相对介电常数，电场频率为10 KHz，电压为1 V，温度范围为30℃-600℃，升温速率为5℃/min。研究了Y0.145Gd0.855COB晶体的介电常数随温度的变化。并且Y0.145Gd0.855COB晶体的各个相对压电常数都与YCOB晶体和GdCOB晶体相比较，Y0.145Gd0.855COB晶体介电常数比较大，介电损耗<0.1％，表现出良好的介电性能。同时测量了Y0.145Gd0.855COB晶体的介电损耗，在30℃时，测得Y0.145Gd0.855COB晶体的介电损耗分别为tanδ11=0.034%，tanδ22=0.046%，tanδ33=0.03%。Y0.145Gd0.855COB晶体介电损耗较小。 (3)对生长得到的Y0.145Gd0.855COB晶体进行加工，取出ZX切型的样品。对晶体的压电系数d26进行了测量，测量结果为d26=9 pC/N，介于YCOB晶体压电系数d26=7.86 pC/N和GdCOB晶体压电系数d26=11.5 pC/N之间。分析原因，主要有两个：Re离子半径和晶体中阳离子的分布和无序结构。 (4)ReCOB晶体具有四个独立的膨胀系数α11，α22，α33和α13，其中α13的数值相对较小。对Y0.145Gd0.855COB晶体的主膨胀系数α11，α22，α33进行了测量，计算得到α11=12.97 ppm/K，α22=5.94 ppm/K，α33=8.03 ppm/K，比较了Y0.145Gd0.855COB晶体、YCOB晶体和GdCOB晶体的主膨胀系数。Y0.145Gd0.855COB晶体的热膨胀系数具有更大的各向异性，在生长及其使用的过程中要注意温场的控制。