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半导体纳米材料因其具有独特的物理化学性质引起了人们的普遍关注。纳米颗粒的形貌、尺寸对于纳米材料的性质有很重要的影响，所以如何控制纳米材料的生长以得到不同的形貌就显得很重要。由于纳米晶体的成核和生长速度很快很难区分开，为了更好的研究晶体的生长机理，我们先合成晶核，然后以此来催化诱导纳米晶体的生长。并通过透射电子显微镜(TEM)、粉末X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等对产物进行了的结构及形貌表征，用紫外吸收(UV—vis)和光致发光(PL)研究所得纳米材料的光学性质来监测其生长过程。
主要研究如下：
(1)在OAm中合成贵金属Ag纳米颗粒，然后以此为核使PbS纳米晶体在金属外层外延生长，通过改变温度、晶核的量以及Pb和S的比例关系等因素，得到了方形、棒状的PbS纳米晶体。
(2)先合成具有立方晶相的CdS核，然后通过循环注入Cd源和Se源，使得六方相的CdSe在核的外层生长，通过改变温度等因素得到了具有四角棒、锥形、球形等形貌的CdS/CdSe复合纳米晶体。
(3)通过在液体石蜡中合成立方相的CdSe核，然后在油胺、ODE溶剂中循环注入Cd源和Se源，使得在立方相的CdSe表面生长CdSe壳层，通过改变温度和油胺的量得到了四角棒、锥形、球形结构的CdSe纳米晶体。