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基于有机聚合物材料的存储器件因低耗,柔性,尺寸可缩减,高密度存储等优点,得到国内外许多课题组的关注,成为研究热点。含吡啶基团的聚合物一定程度上可以通过调控结构,利用吡啶基团与金属进行配位来优化改善电子存储性能,是一种潜在的电存储器材料。纵观聚合物存储的研究进展,聚合物及其复合材料的分子结构、薄膜厚度、退火温度、上下电极及器件制备工艺都对存储器件性能有一定的影响。基于此,本文采取RAFT聚合方法及缩聚合等方法合成三种不同含吡啶环的聚合物,从分子结构、退火温度及配位环境多角度的分析研究影响存储性能的因素