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光导开关(Photoconductive semiconductor switch, PCSS)也就是通过光控制导通与关断的半导体开关器件。光导开关具有功率密度高(MW量级)、响应速度快(ps量级)、触发抖动低(ps量级)、抗电磁干扰能力强(良好的光电隔离)、体积小、易集成的优点。在大电流点火装置、拒止武器和高功率微波系统、精密时间同步、THz技术、瞬态测试、冲激雷达、电磁干扰与攻击系统等领域应用广泛。光导开关诞生以后,研究人员就孜孜不倦的研究着不同用途的光导开关的体材料,对于材料的实验和研究从未停止。第一代以Si为主的半导体材料被广泛用于光导开关的制作；第二代半导体材料中GaAs的禁带宽度及迁移率都大于Si,所以GaAs材料逐渐取代了Si在光导开关制作材料中的地位,而GaAs材料的光导开关以其优异的性能和广泛的应用作为本课题的主要研究对象；第三代半导体材料中的SiC的半导体性能更好,SiC作为衬底材料正不断的应用于光导开关的研究。常温下GaAs的电子迁移率可达8500cm2/V·s,比Si和SiC都要高得多,载流子的寿命为0.1ns到10ns。一直以来GaAs材料在半导体领域都受到广泛的重视,在光导开关方面具有广泛的应用,GaAs光导开关在高频电子领域中具有更广阔的应用前景。本论文的主要研究内容是通过重掺杂形成欧姆电极,这种GaAs光导开关能够很好的工作于高频电路中；对GaAs光导开关电极进行了形貌表征,以及热稳定性和附着力测试,发现开关开关电极的性能均符合设计要求；在此基础上,对GaAs光导开关进行了改进,降低了开关衬底厚度,大大提高了GaAs光导开关的导电性能；最后对GaAs光导开关的损伤机理进行了工艺方面的研究,GaAs光导开关的损伤主要是EL2能级浓度分布不均匀造成的,改变开关制作工艺条件改善EL2能级的分布,进而能够很好的提升开关击穿特性。