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为减小AlGaInP发光二极管在大电流下异质结限制层载流子泄漏,提高AlGaInP发光二极管的高温特性.通过沈光地教授提出的隧道再生多发光区结构,实现小电流注入下高亮度发光.从而改善了AlGaInP发光二极管的温度特性.并且成功地通过隧道结将N型GaAs衬底转换的P型从而可以采用N型GaP做电流扩展层,提高扩展层的扩展效率.采用低压MOCVD技术分别利用C和Si作P型和N型掺杂剂制备了高质量的GaAs隧道结.成功的制备了具有两个发光区的隧道再生多发光区发光二极管及N型电流扩展层发光二极管.实验结果表明:具有两个发光区的隧道再生多发光区发光二极管的外量子效率基本上是单一发光区的两倍.并且N型GaP电流扩展层发光二极管的发光效率也提高了50﹪以上.并且随注入电流的增加,N型电流扩展层的影响越大.基本证实了设计思想的正确性.