【摘 要】
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稀土掺杂锆钛酸铅镧(PLZT)电光陶瓷在多功能器件、集成光学和上转换器件等方面有潜在的应用价值。本论文主要研究了稀土掺杂PLZT电光陶瓷的发光特性、辐射特性以及频率上转换
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稀土掺杂锆钛酸铅镧(PLZT)电光陶瓷在多功能器件、集成光学和上转换器件等方面有潜在的应用价值。本论文主要研究了稀土掺杂PLZT电光陶瓷的发光特性、辐射特性以及频率上转换特性。
研究结果了掺钕PLZT电光陶瓷的光谱特性和光辐射特性，用Judd-Ofelt(J-O)理论，通过吸收光谱计算得到强度参量，利用强度参量分别计算了<4>F<,3/2>亚稳态辐射寿命、辐射跃迁几率、荧光分支比，同时测量了<4>F<,3/2>亚稳态的荧光寿命并计算了该能级的荧光量子效率。并且利用荧光光谱计算了<4>F<,3/2>→<4>I<,J>的受激发射截面。
研究结果了掺铒PLZT的光谱特性及光辐射特性。通过Er<3+>离子的吸收光谱，利用Judd-Ofelt理论，计算得到强度参量，并由强度参量计算得到Er<3+>离子各能级电偶极辐射跃迁几率、磁偶极辐射跃迁几率、总的辐射跃迁几率、荧光分支比和辐射寿命，测量了<4>I<,13/2>亚稳态的荧光寿命，利用荧光光谱计算了<4>I<,13/2>→<4>I<,15/2>的受激发射截面。
测量了980nm激发下Er<3>离子的上转换荧光谱，分析了980nm激发下掺铒PLZT上转换发光的过程，建立可描述系统动力学过程的上转换速率方程，并且用该速率方程从理论上研究掺铒PLZT陶瓷材料中的上转换行为，确定上转换发光的产生机制。同时还测量了803nm激发下Nd<3+>离子的上转换荧光谱，对掺钕PLZT电光陶瓷在803nm激发下的上转换情况做了简要的分析。
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