【摘 要】
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采用磁过滤真空溅射离子沉积系统制备含氢的非晶碳(a-C：H)薄膜，研究衬底偏压、微结构与其血液相容性的关系，以及退火对其性能的影响。c采用磁过滤真空离子溅射沉积系统，制备氢化
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采用磁过滤真空溅射离子沉积系统制备含氢的非晶碳(a-C：H)薄膜，研究衬底偏压、微结构与其血液相容性的关系，以及退火对其性能的影响。c采用磁过滤真空离子溅射沉积系统，制备氢化非晶碳(a-C：H)薄膜，通过调节衬底偏压，改变沉积离子的能量，从而改变薄膜的微结构，得到sp3/sp2C比例不同的薄膜。然后选择sp3C含量最高的-20V样品进行不同温度和时间的退火处理，以便研究衬底偏压和退火处理对薄膜微结构和血液相容性的影响。
a-C：H薄膜的微结构和sp2、sp3含量分别通过紫外-可见吸收光谱(UV)、拉曼光谱(Raman)和电子能量损失谱(EELS)作定性和定量分析。血液相容性通过动态凝血实验、血小板粘附实验、凝血酶原时间测定实验进行评估。实验结果表明，衬底偏压是决定a-C：H薄膜中sp2、sp3含量的关键因素，也同样影响着薄膜的血液相容性。-20V偏压下制备的薄膜中sp3含量最高，血液相容性也最好。
退火对a-C：H薄膜性能的影响是通过紫外-可见吸收光谱(UV)、拉曼光谱(Raman)和血小板粘附实验进行评估。实验结果表明，退火会使薄膜石墨化；退火温度对薄膜微结构和sp2、sp3含量的影响比退火时间对薄膜的影响显著许多；400℃以上温度退火的薄膜出现严重石墨化，血液相容性随之变差。
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