【摘 要】
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TeO2作为宽禁带的P型半导体材料，对氧化还原性气体具有极高的灵敏度，在气敏传感方面展现了优越的性能。本文在室温下对TeO2准一维纳米结构的气敏性能进行了深入的研究。 以
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TeO2作为宽禁带的P型半导体材料，对氧化还原性气体具有极高的灵敏度，在气敏传感方面展现了优越的性能。本文在室温下对TeO2准一维纳米结构的气敏性能进行了深入的研究。 以纯净的Te粉为原料，以鍍有2纳米金膜的硅片作为衬底，采用化学气相沉积法制备出TeO2准一维纳米结构。采用XRD，SEM表征TeO2准一维纳米结构的相组成以及微观结构。结果表明，TeO2纳米线具有四方相晶体结构，长度约为几十微米，直径约为50～200nm之间。在TeO2纳米线的顶端未发现Au颗粒，表明TeO2纳米线按照气—固机制进行生长。 利用金属丝掩膜法，构筑了基于单根TeO2准一维纳米结构的“金属/TeO2准一维纳米结构/金属”电阻型气敏传感器件。室温下测试了传感器件在不同环境（空气、真空、H2S）下的电输运性能，探讨了气体吸附对器件电导率的影响。在大气中，由于氧分子的吸附，增加了空穴浓度，器件的电导增强，而在强还原性硫化氢气体中，器件电导减少。同时发现器件具有忆阻效应，空气中氧空位浓度的增加增强了忆阻效应，硫化氢中多数载流子空穴的减少抑制了忆阻效应，证实了忆阻机理:氧空位在电场的作用下发生迁移，改变了接触势垒宽度，增强电子隧穿几率，从而改变电导，导致忆阻现象。 研究表明，在室温下二氧化碲准一维纳米结构对氧化还原性气体具有极高的灵敏度。为实现低功耗，室温工作的高性能气敏传感器提供了气敏元件基础。
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