【摘 要】
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该文进行了电子回旋共振(ECR)等离子体淀积及刻蚀工艺的研究,用SiH+O及SiH+N进行了SiO和SiN薄膜的制备.并在在CF+O和SF+O两种气体体系中,对硅基材料(Si、SiO、SiN)进行了刻蚀
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该文进行了电子回旋共振(ECR)等离子体淀积及刻蚀工艺的研究,用SiH<,4>+O<,2>及SiH<,4>+N<,2>进行了SiO<,2>和Si<,3>N<,4>薄膜的制备.并在在CF<,4>+O<,2>和SF<,6>+O<,2>两种气体体系中,对硅基材料(Si、SiO<,2>、Si<,3>N<,4>)进行了刻蚀,研究了不同的反应气体流量、混合比、微波功率等因素对刻蚀速率、均匀性、选择性的影响,得到了ECR反应离子刻蚀的工艺参数及优化工艺条件,其中对Si的刻蚀速率为2.23um/min,达到了国内报道的最新水平.最后.利用已经得到的优化工艺条件,实现了硅材料的微细图形刻蚀,其中在0.5um线宽的水平上,保持了较好的各向异性.
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