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本论文的研究内容主要包括两个部分，即金属源漏多晶硅（poly-si）TFT的载流子输运机制研究及非晶（a-）IGZO TFT的特性表征。(1)金属源漏poly-Si TFT的载流子输运机制通过对两种金属源漏poly-Si TFT的特性研究，包括金属替代结TFT和自对准金属电极TFT，我们基于掺杂调制的肖特基势垒模型对器件传导特性给出了统一的解释。通过对比金属替代结TFT与传统poly-Si TFT的转移特性及器件温度特性，我们发现这种金属替代结TFT位于源漏两端的铝硅接触呈现明显的肖特基特性，初步建立了受肖特基势垒控制的传导模型；在自对准金属电极TFT的特性研究中，我们发现载流子势垒高度受到势垒材料间的薄掺杂层调制，并对提出的传导模型进行了完善。结合对器件掺杂层杂质分布的模拟，以及对器件亚阈值摆幅、开态电流的分析，我们的模型得到了验证。(2) A-IGZO TFT的特性表征A-IGZO TFT是金属氧化物TFT的典型代表。以a-IGZO TFT为研究对象，我们分析了器件的基本特性及光致不稳定性。在对器件转移特性和电容特性的研究中，我们对器件场效应迁移率随栅压的变化规律和器件电容特性对测量频率的依赖关系给出了合理的解释。同时，我们还基于a-IGZO中光生自由电子的两个机制，解释了器件在不同光照条件下的转移特性，以及光照后的器件在室温条件下的自发恢复现象。