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氮化镓(GaN)是一种直接带隙宽禁带(3.4 eV)半导体材料,因其独特的特性被广泛的利用在很多领域如在光电子方面GaN基的高效率蓝绿光LED超大屏全色显示节约环保高效比普通白织灯节电5-10倍,在微电子方面利用GaN材料可制备高频大功率电子器件上有望在航天航空等特殊环境下发挥重要作用,目前其研究与应用成为全球范围内半导体研究热点之一。针对目前主流制备薄膜方法,如分子束外延法(MBE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD),氢化物气相外延(HVPE)等具有的工艺及成本弊端。本文采用简单易行的溶胶-凝