【摘 要】
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该工作结合国家重点基金项目的资助,提出引入玻璃复合相和LiF烧结助剂进行AlN流延成型实现900-1000度下低温共烧的思路,和上海硅酸盐所成功获得了热导率、介电常数和介电损分
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该工作结合国家重点基金项目的资助,提出引入玻璃复合相和LiF烧结助剂进行AlN流延成型实现900-1000度下低温共烧的思路,和上海硅酸盐所成功获得了热导率、介电常数和介电损分别为10.3-11.1W/m·k、4.9-5.8和10<'-3>(室温下,1MHZ)的AlN/glass复合材料,该结果属国内领先,国外尚未有正式报道.试制出与AlN/glass流延材料较匹配的共烧银导体浆料,引入具有很好的实用价值弱氧共烧气氛,系统分析了共烧过程和结合机理,成功地进行了三层AlN/glass复合材料基板的低温共烧Ag布线,层厚度约0.2mm,Ag导线的分辨率可达200微米,厚度约10微米,方阻1-2毫欧姆,有效的利用了AlN高热导的优越性能,也发挥了LTCC技术的优势.结合复旦大学"211工程"的部分资助,实现了芯片倒装并进行了初步的热循环焊点可靠性有限元模拟,分析表明,复合焊点封装工艺中,由于不同性质焊料之间的牵制影响,使得阵列内的应力、粘塑性应变和塑性能量积累等参量分布相对于单一焊料封装器件就有了显著的变化,在特定的几何参数和材料组合下,这些变化可以产生"协同效应",使复合焊点阵列器件的热可靠性有可能优于单一焊料封装器件.
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