【摘 要】
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GeSi/Si异质结材料引起人们越来越大的兴趣,其主要原因是由于它在高 速器件及其IC和光电器件及其OEIC两方面广阔的应用前景.人们采用了多种方法制备GeSi/Si异质结材料.超高真
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Ge<,x>Si<,1-x>/Si异质结材料引起人们越来越大的兴趣,其主要原因是由于它在高 速器件及其IC和光电器件及其OEIC两方面广阔的应用前景.人们采用了多种方法制备Ge<,x>Si<,1-x>/Si异质结材料.超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)是目前被公认的制备Ge<,x>Si<,1-x>/Si异质结材料的最好方法之一.该文通过对Ge<,x>Si<,1-x>/Si异质结外延生长机理、生长方法、表面反应动力学和气体动力学的分析、研究,首次提出并建立了一个应用于Ge<,x>Si<,1-x>/Si化学气相外延的气体动力学和表面反应动力学统一模型.模型中应用改进试 验粒子法分析了GeH<,4>+SiH<,4>+H<,2>混合气体过渡流态的输运过程,应用表面反应动力 学分析了Ge<,x>Si<,1-x>/Si的Ge和Si的外延生长过程.得到了过渡流态的生长速率、外延 层组分等与初始条件(包括反应气体分子空间分布、空间温度分布、压力、生长室形状和尺寸等)的理论关系.使目前的有关Ge<,x>Si<,1-x>/Si生长的理论工作从"半经验"、"半定 量"向"定量"化前进了一大步.
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