【摘 要】
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随着微电子技术的迅速发展，以及超大规模集成电路时代的到来，静态随机存取存储器(SRAM)作为一个内嵌的宏单元出现在可编程逻辑门阵列(FPGA)或者微处理器中已经得到广泛的应用。
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随着微电子技术的迅速发展，以及超大规模集成电路时代的到来，静态随机存取存储器(SRAM)作为一个内嵌的宏单元出现在可编程逻辑门阵列(FPGA)或者微处理器中已经得到广泛的应用。
本文主要通过对SRAM的设计技术进行研究，设计出了一款嵌入在FPGA中，作为存储配置和回读信息的数据位宽可调的4K同步双端口SRAM。双端口SR-AM，它采用两套独立的地址、数据和控制总线，同时允许两个独立的实体(如两个处理器)对其进行存取，与单端口的存储器相比，双端口存储器的存取效率提高一倍。
本文首先介绍了这款FPGA的主要模块分布，以及一些性能参数。其次，在分析了SRAM的基本结构，并在比较了一系列SRAM结构设计的基础上设计出了嵌入在FPGA中的4K同步双端口SRAM的结构。文章中的设计基于整个FPGA芯片的工作环境要求，完成了SRAM中的存储单元，灵敏放大器，译码电路的组成结构。最后，芯片的设计在使用0.22μm工艺的基础上，利用大量的Hspice，NC-Verilog，Nano_sim仿真，验证了可以配合FPGA，并且可靠工作的SRAM单元。
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