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该工作采用MBE生长技术制备了In(Ga)As/GaAs量子点材料,并对其生长条件、结构和光学性质进行了较为深入的研究.主要内容包括:(1)首次对双模尺寸分布量了点中的载流子热转移机制进行了较为系统的研究.(2)首次生长量子点复合结构——InGaAs量子点/InAlAs"浸润层"/GaAs,并对其光学性质进行了研究.(3)研究了在(100)面上引入高密度InAlGaAs和InAlAs种子层量子点前后In(Ga)As量子点的形貌和光学特性的变化.(4)研究了双模尺寸分布、不同表面盖层In(Ga)As/GaAs量子点的退火效应,分析了应变因素在量子点退火中的作用.