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采用转移-键合工艺的高机电耦合系数FBAR研究与制备

来源 :西安电子科技大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：szshm

【作 者】

：

曾汉奇 

【出 处】

：

西安电子科技大学

【发表日期】

：

2021年01期

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