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铜铁矿结构p型透明导电氧化物(Transparent Conducting Oxide.TCO)薄膜是一类在光电子学领域具有广泛应用前景的新材料，因其可与n-TCO薄膜形成真正意义上的“透明器件”而备受关注。在铜铁矿体系中，CuCrO2薄膜具有优良的光学和电学性质。采用真空方法制备的CuCrO2薄膜室温电导率约为1S·cm-1，掺5％Mg的CuCrO2薄膜的电导率高达220S·cm-1，是目前p-TCO中电导率最高的材料。考虑到真空方法制备薄膜的成本较高，不利于大规模生产，笔者针对国内外在CuCrO2薄膜方面的研究现状，结合溶胶-凝胶(sol-gel)法所具有的众多优点，特别是在工业化大规模生产中所具有的优势地位，开展了sol-gel法制备高质量p型CuCrO2薄膜的探索工作，并取得了预期的研究成果，可概括为以下几部分：
1.采用sol-gel法在Al2O3(0001)衬底上成功制备了铜铁矿结构CuCrO2薄膜。X射线衍射(X-ray diffraction，XRD)测试结果显示，sol-gel法制备的CuCrO2薄膜结晶非常好，且为高度c轴取向。
2.通过改变预烧温度、烧结气氛和温度等工艺参数，系统研究了制备工艺参数对CuCrO2薄膜结构、形貌和光学性质的影响，得到sol-gel法制备CuCrO2薄膜的最佳工艺，为后续研究提供了准确可靠的实验依据。
3.为了降低薄膜的电阻率，进行了sol-gel法制备CuCr1-xMgxO2(O≤x≤0.05)薄膜的研究。结果显示，CuCr1-xMgxO2(0≤x≤0.05)薄膜结晶良好，都为c轴取向，表面致密：掺杂后，薄膜的透过率比掺杂前有所下降，且吸收边向长波方向移动；室温下薄膜的电阻率比掺杂前有大幅降低，当掺杂量为4％时薄膜的电阻率最低，为10Ω·cm。