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铅是一种广为人知的环境神经毒素。长时间的低铅暴露能够造成认知功能的损伤,但造成这种损伤的机制尚未阐明。本实验运用常规的全细胞膜片钳技术研究了不同途径的铅暴露对大鼠海马脑片CA1区锥体神经元可兴奋性和兴奋性相关的电压门控离子通道的影响以及产生这些影响的可能机制。急性铅暴露实验的结果显示低铅（0.5/5μM）暴露不能显著改变锥体神经元的单个动作电位发放的电压阈值及波形的各项参数;但是,5μM急性铅暴露显著增加了大鼠海马脑片CA1区锥体神经元动作电位的发放频率,减弱了峰电位频率适应（spike frequency adaptation）;5μM铅所造成的这种兴奋性影响可以被T型电压门控钙离子通道（VDCC）的阻断剂mebifradil所阻断,但不能被L型VDCC阻断剂verapamil或者N型VDCC阻断剂ω-conotoxin所阻断;胞外无钙的条件下,5μM铅不能产生这种兴奋性的影响;另外,IP3R拮抗剂2—APB和RyanodineR拮抗剂dantrolene可以分别取消5μM铅的这种兴奋性影响,而钙离子内摄的阻断剂thapsigargin则对这种兴奋性影响只有部分减弱的作用。这些结果显示了低浓度急性铅暴露对锥体神经元产生的兴奋性神经毒性以及T型VDCC在其中所作的贡献,同时,低铅的这种兴奋性神经毒性有可能与其参与了胞内钙库释放的调节从而影响了动作电位发生时期的钙内流相关。发育期慢性铅暴露实验的结果显示从受孕日至生产后15日对母鼠进行慢性的铅暴露会对子鼠大脑海马脑片CA1区锥体神经元的电压门控钠通道电流的特性产生固有的影响。这些影响包括铅升高了钠电流的激活电压阈值、升高了诱发最大电流的电压、使钠电流的稳态激活曲线正向移动、增大尾电流;铅延迟钠电流的快速激活失活;以及铅使得钠电流的稳态失活曲线向右移动、加速钠电流活性依赖的失活,但对于钠电流从失活状态复活的时程和比例没有显著性的影响。另外,采用一种有效的抗氧化剂和自由基清除剂α-tocopherol（VE）与铅共暴露的结果显示,上述发育期铅暴露所造成的钠电流特性的变化基本被逆转至与对照一致,因此产生这种影响的毒理过程有可能和铅在脂质过氧化反应中的参与有关,因为脂质过氧化反应会改变细胞膜蛋白的结构和生物物理功能。