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InP作为典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,具有禁带宽度大、载流子迁移率快、光电转换效率高等特点,广泛用来制作各种高速高频器件、光电器件。掌握晶体生长中的传热与液相流动过程,对于优化InP单晶生产的工艺参数、提高单晶质量有着重要的意义。本文通过数值模拟的方法研究了垂直温度梯度法InP单晶生长过程中的温度场及流场的变化规律,并研究了旋转磁场对晶体生长过程中流场的影响。主要研究内容和结论如下:(1)研究了晶体直径(3、4、6英寸)对InP单晶生长过程中熔区内的温度场及对流场的影响。模拟结果表明:在三组实验中,