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根据世纪之交半导体领域对SIMS定量分析提出的新挑战,以夺基材料与器件为主要对象,研究了二次离子发射基体效应和定量分析的几个前沿课题.
硅基半导体二次离子发射的基体效应及定量分析
【摘 要】
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根据世纪之交半导体领域对SIMS定量分析提出的新挑战,以夺基材料与器件为主要对象,研究了二次离子发射基体效应和定量分析的几个前沿课题.
【机 构】
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清华大学
【出 处】
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清华大学
【发表日期】
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2000年期
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