【摘 要】
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垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）与传统的边发射半导体激光器相比，它具有发散角小、单纵模工作、非常低的阈值电流等优点，尤其它适于二维面阵集成和与其它光电子器件集成。在光
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垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）与传统的边发射半导体激光器相比，它具有发散角小、单纵模工作、非常低的阈值电流等优点，尤其它适于二维面阵集成和与其它光电子器件集成。在光信息处理、光互连、光计算等方面都有广泛的应用前景。 在VCSEL器件研制方面，我们采用氧化物限制结构来对其的电流和光场进行限制。利用湿法氧化和选择性腐蚀相结合工艺研制出室温连续工作的VCSEL，最低阈值电流为1.8mA，输出功率为7.96mW。在器件工艺研究方面，我们对AlxGa1-xAs的湿法氧化工艺和AlxGa1-xAs／GaAs材料的选择性腐蚀工艺进行了深入研究，实验得到AlxGa1-xAs中x值、厚度、氧化温度等因素与氧化速率有关，并发现气流量对AlxGa1-xAs层的氧化过程有重要的影响，实验测定了气流量与AlxGa1-xAs层氧化速率的关系，从而为确定合适的氧化工艺条件打下基础。
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