【摘 要】
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金属氧化物半导体气敏材料及传感技术是本世纪五十年代才发展起来的,其中以SnO最具代表性,对其气敏电学机理和应用的研究开展得比较广泛和深入.近年来,随着SnO薄膜的气敏光学
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金属氧化物半导体气敏材料及传感技术是本世纪五十年代才发展起来的,其中以SnO<,2>最具代表性,对其气敏电学机理和应用的研究开展得比较广泛和深入.近年来,随着SnO<,2>薄膜的气敏光学特性的发现,引起人们对其气敏光学机理研究的兴趣.该文首先就化学汽相沉积法(CVD)制备SnO<,2>及掺杂薄膜的工艺进行了研究中,通过制膜实验对工艺条件进行摸索,如:生长温度、氧气流量、退火温度及时间等,并初步总结出较佳的工艺条件;对用此法所制的薄膜进行成分、结构和物理特性的测试.该文的主要实验是:(1)测量所制的SnO<,2>掺杂薄膜的光学特性;(2)在常温下,不同种类和不同浓度的还原性气体中,不同掺杂的SnO<,2>薄膜气敏前后其光谱透过率的变化情况.在对某些膜片的气敏光学特性测量的同时,还测量了薄膜表面电阻.结果发现掺杂物质、气体种类和浓度等因素都会对薄膜的气敏光谱特性有影响?而且光谱透过率的变化率要比薄膜表面电阻的变化率大得多.
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