【摘 要】
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准分子激光诱导a-Si晶化是低温制备优质p-Si薄膜最有希望的方法.研究准分子激光诱导结晶硅膜的化学、结构特性及脉冲激光作用下a-Si的瞬态熔化、重结晶行为对于研制优质p-Si
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准分子激光诱导a-Si晶化是低温制备优质p-Si薄膜最有希望的方法.研究准分子激光诱导结晶硅膜的化学、结构特性及脉冲激光作用下a-Si的瞬态熔化、重结晶行为对于研制优质p-Si薄膜进而研制高性能p-Si TFT具有重要意义.该文以此为中心展开了理论与实验研究.实验上,采用XeCl准分子激光辐照的方法,成功实现了对a-Si的诱导晶化,制备出了p-Si薄膜.系统研究了准分子激光的能量密度与脉冲数、玻璃衬底上的a-SiN<,x>:H膜及驱氢退火与结晶膜的电学、结构性质的关系.理论上,提出了一种简单、实用的用分子动力学方法模拟a-Si淬火制备的方法,即一次性体积膨胀法.制备a-Si在径向偶对分布函数、键角分布函数、配位数及静态结构因子等方面与实验结果及其它分子动力学模型符合良好.
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