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AlGaN/GaN异质结构材料体系以其在制作高温、高频率以及大功率电子器件方面的优良特性而成为近年来微电子领域的研究热点。由其制作的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFET),即使没有经过掺杂,但由于其强的极化效应,在其异质结的界面处也有非常高密度的二维电子气(2DEG)。利用制作HFET相同的工艺流程制作的肖特基二极管,由于AlGaN/GaN异质结材料的优异特性,除了低功耗、大电流、高频率等优点外,还具有不需要掺杂以及迁移率高等优点。采用传统工艺制作的SBD的耐压值都普遍不高,主要有两个原因,一是在接触金属的边缘,由于此处的曲率半径小,电力线比较集中,电场强度会非常大,使势垒减薄,因而隧道效应明显,导致反向漏电流增加,导致了击穿电压的降低。二是在接触势垒的制作过程中,与金属接触的半导体表面存在着复杂的表面态,而且,由于热处理过程中氧的污染等原因,使接触部分形成了粗糙的界面层,导致了肖特基势垒的不均匀性,使反向漏电流增加,引起势垒高度的降低,从而影响了反向耐压值。我们利用在AlGaN/GaN异质结肖特基二极管的肖特基接触和欧姆接触两个电极之间加一圈肖特基接触的浮动环电极的方法,期望其能有效改善肖特基二极管的性能。我们通过改变中间肖特基浮动金属环的面积,然后测量在不同肖特基浮动金属环面积下肖特基二极管的电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)特性曲线,分析研究基浮动金属环对AlGaN/GaN异质结肖特基二极管性能的影响,由此优化肖特基浮动金属环结构的面积、浮动环与肖特基接触电极的距离以及肖特基环的数量等,以使AlGaN/GaN异质结肖特基二极管的性能有最大程度的提升。研究结果表明：由于肖特基浮动金属环对肖特基接触下的AlGaN势垒层应变未产生影响,肖特基浮动金属环对AlGaN/GaN异质结肖特基二极管的二维电子气密度、肖特基势垒高度和极化电荷密度影响不大；肖特基浮动金属环对AlGaN/GaN异质结肖特基二极管的饱和夹断点和表面反向漏电导产生影响,随着肖特基浮动金属环面积的增大,AlGaN/GaN异质结肖特基二极管正向饱和电流降低且表面反向漏电流增大。